薄膜铌酸锂概念深度解析：AI 算力高速互联的新引擎AI 算力高速互联
性能颠覆：集成铌酸锂微波光子芯片速度比传统电子处理器快 1000 倍，单通道速率超 200G，未来支撑 1.6T 以上光模块；市场爆发：QYResearch 预计 2034 年全球 TFLN 调制器市场规模达 15.1 亿美元，2025-2034 年 CAGR
薄膜铌酸锂
薄膜铌酸锂如何“玩转”布里渊光子学
而没有包层的区域，和其他部分单片集成后，给这个平台解锁了新的SBS功能，能进行窄带宽射频信号处理、通过布里渊激光器产生高纯度射频信号，还能实现高选择性光放大。
Ansys Lumerical | 薄膜铌酸锂电光相位调制器
在这个示例中，我们基于Mercante等人的工作[1]模拟了一种薄膜铌酸锂（LNOI）相位调制器。通过利用引入的各向异性介电常数特性，我们在CHARGE中计算了由射频引发的电容电场（E场）。然后，这些电场用于通过Pockels效应在电信波长下计算铌酸锂中的电光